微光显微镜 InGaAs100（EMMI）技术介绍

技术文章凌光红外2026年9月18日

InGaAs100 微光显微镜（EMMI）利用 InGaAs 近红外探测器捕捉器件发光信号，用于半导体电性失效分析中的缺陷定位。

自2022年12月以来，凌光红外在半导体电性失效分析领域先后推出制冷型锁相红外显微镜（Thermo100）、非制冷型锁相红外显微镜（Thermo50）、微光显微镜（InGaAs100）等检测设备，在多个应用方向（终端晶圆、功率器件、专业三方检测实验室等）分别交付于头部客户，性能比肩国际先进水平。

微光显微镜（Photon Emission Microscopy, EMMI）利用高灵敏度 InGaAs 近红外探测器捕捉半导体器件在偏置条件下产生的光子发射信号。器件中的漏电、击穿、热载流子效应等失效机制会产生特征性光子发射，通过成像定位即可确定缺陷位置。